EPCOS первым поставляет ниобивые конденсаторы
В конце 2004 года EPCOS впервые в мире начнет поставки ниобиевых конденсаторов в дополнение к танталовым конденсаторам. При разработке конденсатора учитывались два решающих фактора. Оксид ниобия имеет в три раза большую диэлектричекую постоянную, таким образом конденсатор будет или в три раза меньше или емкость увеличится в три раза. Поэтому емкость 1500 uF 10V можно выполнить в корпусе Е.
Вторым фактором является рост цены на танталовый порошок. Ожидается, что она увеличится на 200% к концу 2001 года. Около половины стоимости конденсатора определяется ценой сырья для производства. В свою очередь запасы ниобия, по оценкам специалистов, в 30 раз больше чем тантала, что значительно снижает стоимость сырья и, как следствие, конденсатора.
Появление ниобиевых конденсаторов как экономической альтернативы танталовым, а в некоторых случаях даже алюминиевым электролитическим конденсаторам, позволит снизить затраты на мобильные и телекоммуникационные системы, изделия информационной электроники.
В настоящее время максимальная рабочая температура конденсатора составляет 105°С, что делает пока невозможным его использование в некоторых приложениях ( например в авто электронике). Поэтому в настоящее время ведется работа по увеличению рабочей температуры ниобиевых конденсаторов до 125°С.
Другие новости по теме:
Samsung Electro-Mechanics разработал новый медный многослойный конденсатор ...PCC HP конденсаторыСиловой конденсатор безвыводного типа для использования в преобразователяхФирма EPCOS разработала двойной проходной металлопленочный конденсаторТорговать кремнием все же выгодно
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|