Полупроводниковые химические сенсоры
Проанализирован опыт работы НИФХИ им. Л.Я. Карпова по применению полупроводниковых сенсоров в физико-химических исследованиях. Особое внимание уделено специальным методическим приемам, позволяющим количественно и селективно измерять концентрацию контролируемых частиц в окружающей среде. На ряде примеров показано, что при помощи сенсоров можно не только успешно исследовать известные физико-химические явления, но и открывать новые, такие, как фотодесорбция кислорода с поверхности полупроводников и эмиссия активных частиц с разупорядоченной поверхности в ходе ее релаксации.  Кроме того, концентрация анализируемых частиц непосредственно преобразуется в электрический сигнал, что сильно упрощает схему измерения. Перечисленные свойства сенсоров и определяют их возможности для научных исследований в различных областях науки, включая физику, химию, медицину и биологию. При современном состоянии российской науки, старении экспериментальной базы и дефиците ассигнований на ее обновление широкое использование полупроводниковых сенсоров может в какой-то степени помочь экспериментаторам сохранить высокий уровень работ. В этой работе на основании опыта НИФХИ им. Л.Я. Карпова обобщаются специальные приемы использования полупроводниковых химических сенсоров для физико-химических исследований. Одна из первых работ по применению пленок оксидного полупроводника в качестве датчика частиц в газовой фазе, привела к открытию фотодесорбции молекулярного кислорода при освещении в области собственного поглощения пленки оксида цинка с адсорбированным кислородом. Это явление в последующие годы изучалось в ряде научных центров и ему были посвящены специальные конференции. Механизм фотодесорбции заключается в передаче энергии фотовозбуждения адсорбционным центрам. Важно отметить, что в этой работе впервые были продемонстрированы условия, при которых возможно успешное применение сенсора. На рис. 1 показана схема прибора, в котором была обнаружена фотодесорбция кислорода. Этот прибор имел два сенсора из оксида цинка, каждый мог поочередно служить и сенсором кислорода, и адсорбентом. Это достигалось в результате того, что один из образцов освещался, а другой оставался затемненным; проводимость каждого из них могла измеряться независимо, причем одновременно наблюдалось увеличение освещаемой пленки и уменьшение проводимости затемненного образца. Такой эффект наблюдался как в вакууме с предварительно адсорбированным кислородом на освещенной пленке ZnO, так и в присутствии кислорода при малых давлениях.
Другие новости по теме:
Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнит ...Технология получения и конструкция газовых сенсоровВлияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олов ...Электролюминесцентные сенсоры на тяжёлые металлы в водеГетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|