Технология получения и конструкция газовых сенсоров
Разработана система, позволяющая формировать в измерительной камере прямоугольные импульсы концентрации анализируемых газов с длительностью фронтов не более долей секунды. Дано описание методики исследований и вычисления постоянной времени на уровне 90% от максимального значения проводимости как при нарастании концентрации t0.9, так и её спаде t0.9Ї.
Динамические параметры и чувствительность газовых сенсоров изучены в газовых смесях воздуха с метаном, водородом и окисью углерода в диапазоне температур 300...600°С при двух значениях концентрации газов: 20 ppm и 0,1% об. для метана, 100 ppb и 1000 ppm для водорода и 5 и 98 ppm для окиси углерода. Установлено, что зависимость чувствительности сенсоров от концентрации характеризуется максимумом, а динамические параметры сенсоров не зависят от концентрации газов. Установлено, что зачехление чипов приводит к снижению быстродействия сенсоров примерно в 2–4 раза. Оптимальным режимом для всех изученных сенсоров является интервал температур 450...500°С, в котором динамические параметры достигают своих минимальных значений. Для анализа метана рекомендован сенсор на основе толстых пленок SnO2+3% Pd с каталитическим слоем из окиси алюминия, для регистрации водорода пленки состава SnO2+3% La2O3, а для регистрации окиси углерода сенсор на основе SnO2 + 1%Sb2O5 + 3% La2O5.
Быстродействие и чувствительность газовых сенсоров к тем или иным газам являются параметрами, определяющими, по-существу, их практическую применимость. Измерению чувствительности сенсоров, в том числе толстоплёночных металлооксидных, посвящено большое число публикаций в отечественных и зарубежных журналах и в трудах различных конференций. Не остались в стороне от этого процесса и авторы работы – только за последние 5–7 лет нами опубликовано не менее 10 работ, в которых изложены результаты экспериментальных исследований чувствительности и концентрационных зависимостей толстоплёночных сенсоров к метану, водороду, пропану, сероводороду и другим газам. В работах представлено краткое описание наших экспериментальных установок и методик измерений.
Вопросам исследования быстродействия сенсоров и методикам корректного определения этого параметра уделено гораздо меньше внимания. Как правило под параметром «быстродействие» подразумевается начало реагирования сенсоров на появление газов в атмосферном воздухе, которое естественно исчисляется единицами секунд. На самом деле быстродействие и начало реагирования далеко не тождественны. Многие известные фирмы по производству газовых сенсоров и газоанализаторов (например, японские фирмы «Фигаро» и «Риккен Кейки») это прекрасно понимают и указывают в графе «быстродействие» постоянную t0.9 , равную времени, в течение которого сигнал нарастает до значения 90% амплитуды при скачкообразной подаче на сенсор импульса концентрации анализируемого газа. Из такого определения быстродействия следует, что для его измерения требуется достаточно сложная газовая аппаратура, обеспечивающая формирование и подачу импульса концентрации газа и соответствующую регистрацию отклика сенсора. Кроме того, не указывается другой, не менее важный, динамический параметр — способность сенсора восстанавливать свои показания при снятии концентрации газа. Этот параметр является такой же постоянной времени t0.9 с той лишь разницей, что соответствует времени, за которое сигнал достигает 10 % значения показаний в воздухе при таком же скачкообразном спаде концентрации газа и подаче на сенсор импульса чистого воздуха. Таким образом, применительно к газовым сенсорам должны быть использованы два динамических параметра, наиболее корректно и объективно характеризующих их свойства — постоянная времени t0.9 при нарастании концентрации анализируемого газа и t0.9Ї — при спаде концентрации газа. Введение нового параметра, как показали наши измерения, не лишено оснований – постоянные времени t0.9 при нарастании и спаде концентрации газов в действительности нередко заметно отличаются друг от друга.
Авторы выполнили большой комплекс исследований динамических параметров и чувствительности толстоплёночных металлооксидных сенсоров к наиболее распространённым и актуальным с точки зрения экологии и взрывобезопасности газам. Проведена модификация действующей в РНЦ «Курчатовский Институт» газодинамической установки, что позволило одновременно проводить измерения динамических параметров и чувствительности сенсоров. На основе ЭВМ разработана электронная методика регистрации показаний сенсоров при подаче на него прямоугольного импульса концентрации анализируемого газа. Описана методика обработки опытных данных, дающая наглядное представление о быстродействии и чувствительности сенсоров, а также достаточно оперативно позволяющая определить наиболее оптимальный температурный режим их работы применительно к конкретным условиям эксплуатации. Исследована также зависимость быстродействия и чувствительности сенсоров с различными составами газочувствительных слоёв от температуры их нагрева в диапазоне от 300 °С до 600 °С при двух сильно различающихся по величине концентрации анализируемых газов как в открытом варианте сенсоров, так и в сенсорах, упакованных в защитном металлическом колпачке с взрывобезопасной металлической сеткой на торце. Авторы на данном этапе исследований не ставили перед собой задачи всесторонне изучить зависимости параметров сенсоров от влажности газовой среды, хотя этой проблемы мы касались в прежних наших работах. Поэтому все исследования, чтобы отчасти «уравнять» сенсоры, анализируемые газы и температуру окружающей среды, проводились в сухих газовых средах с практически нулевой влажностью.
Весь полученный материал предполагается разместить под одним общим названием в двух частях. В первой части будет дано описание экспериментальной установки и методики обработки опытных данных. Здесь же будут представлены результаты исследований по быстродействию и чувствительности к трём нерастворимым в воде газам – метану, водороду и окиси углерода. Во второй части мы планируем представить экспериментальные результаты по трём-четырём растворимым в воде газам, таким как, аммиак, сероводород, этиловый спирт и, возможно, самим парам воды.
Другие новости по теме:
Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнит ...Объект исследований – полупроводниковый газовый сенсорВлияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олов ...Гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...Полупроводниковые химические сенсоры
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|