О компании Детали Новости Поставки аналитика
 
Наш адрес в Киеве:
196105, Украина, Киев
ст.метро "Лукьяновская" улица Герцена д 4 пом. 16Н
Телефон: (044) 213-3641
E-mail: sale@incomtech.com.ua
Наш адрес в Николаеве:
620078, г. Николаев
ул. Студенческая, д.51, ком. 327
Телефон: 374-65-00
E-mail: sklad@incomtech.com.ua
 

Технология получения и конструкция газовых сенсоров

Разработана система, позволяющая формировать в измерительной камере прямоугольные импульсы концентрации анализируемых газов с длительностью фронтов не более долей секунды. Дано описание методики исследований и вычисления постоянной времени на уровне 90% от максимального значения проводимости как при нарастании концентрации t0.9­, так и её спаде t0.9Ї.

Динамические параметры и чувствительность газовых сенсоров изучены в газовых смесях воздуха с метаном, водородом и окисью углерода в диапазоне температур 300...600°С при двух значениях концентрации газов: 20 ppm и 0,1% об. для метана, 100 ppb и 1000 ppm для водорода и 5 и 98 ppm для окиси углерода. Установлено, что зависимость чувствительности сенсоров от концентрации характеризуется максимумом, а динамические параметры сенсоров не зависят от концентрации газов. Установлено, что зачехление чипов приводит к снижению быстродействия сенсоров примерно в 2–4 раза. Оптимальным режимом для всех изученных сенсоров является интервал температур 450...500°С, в котором динамические параметры достигают своих минимальных значений. Для анализа метана рекомендован сенсор на основе толстых пленок SnO2+3% Pd с каталитическим слоем из окиси алюминия, для регистрации водорода пленки состава SnO2+3% La2O3, а для регистрации окиси углерода сенсор на основе SnO2 + 1%Sb2O5 + 3% La2O5.


Быстродействие и чувствительность газовых сенсоров к тем или иным газам являются параметрами, определяющими, по-существу, их практическую применимость. Измерению чувствительности сенсоров, в том числе толстоплёночных металлооксидных, посвящено большое число публикаций в отечественных и зарубежных журналах и в трудах различных конференций. Не остались в стороне от этого процесса и авторы работы – только за последние 5–7 лет нами опубликовано не менее 10 работ, в которых изложены результаты экспериментальных исследований чувствительности и концентрационных зависимостей толстоплёночных сенсоров к метану, водороду, пропану, сероводороду и другим газам. В работах представлено краткое описание наших экспериментальных установок и методик измерений.

Вопросам исследования быстродействия сенсоров и методикам корректного определения этого параметра уделено гораздо меньше внимания. Как правило под параметром «быстродействие» подразумевается начало реагирования сенсоров на появление газов в атмосферном воздухе, которое естественно исчисляется единицами секунд. На самом деле быстродействие и начало реагирования далеко не тождественны. Многие известные фирмы по производству газовых сенсоров и газоанализаторов (например, японские фирмы «Фигаро» и «Риккен Кейки») это прекрасно понимают и указывают в графе «быстродействие» постоянную t0.9 , равную времени, в течение которого сигнал нарастает до значения 90% амплитуды при скачкообразной подаче на сенсор импульса концентрации анализируемого газа. Из такого определения быстродействия следует, что для его измерения требуется достаточно сложная газовая аппаратура, обеспечивающая формирование и подачу импульса концентрации газа и соответствующую регистрацию отклика сенсора. Кроме того, не указывается другой, не менее важный, динамический параметр — способность сенсора восстанавливать свои показания при снятии концентрации газа. Этот параметр является такой же постоянной времени t0.9 с той лишь разницей, что соответствует времени, за которое сигнал достигает 10 % значения показаний в воздухе при таком же скачкообразном спаде концентрации газа и подаче на сенсор импульса чистого воздуха. Таким образом, применительно к газовым сенсорам должны быть использованы два динамических параметра, наиболее корректно и объективно характеризующих их свойства — постоянная времени t0.9­ при нарастании концентрации анализируемого газа и t0.9Ї — при спаде концентрации газа. Введение нового параметра, как показали наши измерения, не лишено оснований – постоянные времени t0.9 при нарастании и спаде концентрации газов в действительности нередко заметно отличаются друг от друга.

Авторы выполнили большой комплекс исследований динамических параметров и чувствительности толстоплёночных металлооксидных сенсоров к наиболее распространённым и актуальным с точки зрения экологии и взрывобезопасности газам. Проведена модификация действующей в РНЦ «Курчатовский Институт» газодинамической установки, что позволило одновременно проводить измерения динамических параметров и чувствительности сенсоров. На основе ЭВМ разработана электронная методика регистрации показаний сенсоров при подаче на него прямоугольного импульса концентрации анализируемого газа. Описана методика обработки опытных данных, дающая наглядное представление о быстродействии и чувствительности сенсоров, а также достаточно оперативно позволяющая определить наиболее оптимальный температурный режим их работы применительно к конкретным условиям эксплуатации. Исследована также зависимость быстродействия и чувствительности сенсоров с различными составами газочувствительных слоёв от температуры их нагрева в диапазоне от 300 °С до 600 °С при двух сильно различающихся по величине концентрации анализируемых газов как в открытом варианте сенсоров, так и в сенсорах, упакованных в защитном металлическом колпачке с взрывобезопасной металлической сеткой на торце. Авторы на данном этапе исследований не ставили перед собой задачи всесторонне изучить зависимости параметров сенсоров от влажности газовой среды, хотя этой проблемы мы касались в прежних наших работах. Поэтому все исследования, чтобы отчасти «уравнять» сенсоры, анализируемые газы и температуру окружающей среды, проводились в сухих газовых средах с практически нулевой влажностью.

Весь полученный материал предполагается разместить под одним общим названием в двух частях. В первой части будет дано описание экспериментальной установки и методики обработки опытных данных. Здесь же будут представлены результаты исследований по быстродействию и чувствительности к трём нерастворимым в воде газам – метану, водороду и окиси углерода. Во второй части мы планируем представить экспериментальные результаты по трём-четырём растворимым в воде газам, таким как, аммиак, сероводород, этиловый спирт и, возможно, самим парам воды.


Другие новости по теме:

  • Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнит ...
  • Объект исследований – полупроводниковый газовый сенсор
  • Влияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олов ...
  • Гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...
  • Полупроводниковые химические сенсоры


  •  

    НОВОСТИ

     
    Диоды с накоплением заряда
    Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды ди­одов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К та­ким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта.
     
    Сырье и материалы используемые в производстве
    Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.

    Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18.
     
    Микросхемы памяти с последовательным доступом
    АТ24
    Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит.
     
    Микросхемы памяти с параллельным доступом
    АТ27
    Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит.
     
    АТ90S (AVR)
    Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В.
     
    АТ91 (ARM7TDMI)
    Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц
     
    ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
    Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power).
     
    ATF1500A
    Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала.
     
    АТ40К/LV
    Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений.
     
    АТ89
    Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51.
     
    ПРАЙС-ЛИСТЫ:
    Скачать прайс-лист Прайс на продукцию "Элемент-Инкомтех" 2009 г.в.
    Скачать прайс-лист Прайс-лист на силовые полупроводники и охладители
    Скачать прайс-лист Прайс на монтажный крепеж (стойки, колонки, буксы, лепестки)
    Скачать прайс-лист Наша постоянная потребность
    .. | Материалы | Новости | Реестр | О работе
    Designed by Acet.name © 2006
    ООО «Инкомтех» © 2000-2011