Измерение постоянного напряжения
a) Установите положение выключателя в соответствии с 2.2.1 b) Установите AC(GND)DC - переключатель канала, на который приложен сигнал в положение GND. c) Установите луч с помощью (17) или (18) в середину экрана. d) Этот переключатель (17) или (18) не должен менять своего положения до конца измерения. e) Установите переключатель AC/GND/DC в положение DC, но обращайте внимание на величину входного сигнала. Все сигналы над средней линией положительные, под - отрицательные. f) Подсчитайте количество клеточек между средней линией и сигналом и умножьте на установку VOLT/DIV Например: Расстояние составляет 2 клетки и 4 штриха по 0,2 ом. VOITS/DIV=2. Следовательно 2,8х2=5,6V. g) В случае 5-кратного расширения (при отжатии кнопки VARIABLE) Вы должны полученный результат разделить на 5. При использовании чувствительной головки 1:10 - умножить на 10.
Измерение длительности и временных интервалов.
1. Установка осциллографа по п.2.2.3. 2. Установите переключатель TIME/DIV таким образом, чтобы отображение сигнала (полуволна) занимала возможно большее место на экране. 3. С помощью вертикального и горизонтального регулирования “POSITION” (16) или (17) и (22) расположите сигнал так, чтобы начальная точка временного интервала находилась на вертикальной линии растра, а конечная на горизонтальной средней линии растра. 4. Для измерения длительности нужно совершить следующие операции: Длительность - расстояние между начальной и конечной точкой полуволны умноженная на установку DIV/TIME переключателя.Например: Расстояние %.4 DIV, положение 5 US/DIV DIVx5US/DIV=27US (US=10exp-6 секунд).
Другие новости по теме:
Измерение длительности времени, временного интервала осциллографаЗадержка по времени для OS-9040DИзмерения с помощью осциллоскопов OS-3020 и OS-3060Измерение времени нарастанияОдноканальный режим (Single Trace)
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|