Галогеновый ИК-прожектор
Технические данные
Напряжение питания 230 В, 50 Гц +/-10% (10/16 А) Мощность лампы 500 Вт (галогеновая) Интервал отключения 20 сек - 10 мин Угол охвата датчика 110° (эллипсоид) Дальность действия датчика ок.12 м
Тип защиты IP44 Класс защиты II Соответствие нормам VDE 0711 T1 09.91 VDE 0711 T201 09.91 VDE 0632 r 04.79
Установка
Внимание! Все работы, связанные с подключением прибора в электрическую сеть, должны выполняться специалистами! При установке сеть должна быть полностью обесточена!
Монтаж излучателя должен проводиться только на прочной поверхности, с использованием соответствующих дюбелей и шурупов. Прибор следует устанавливать в месте, защищенном от воздействия интенсивного солнечного света, дождя, снега и других атмосферных осадков. При установке датчик должен располагаться под светильником. Не размещайте прибор вблизи источников тепла, вентиляторов и т.п. Следите, чтобы в зоне действия датчика не было ярких источников света или отражающих поверхностей, т.к. это может привести к ложным срабатываниям светильника.
Будьте особенно осторожны при установке чувствительной галогеновой лампы.
1. Установите монтажный бугель, как показано на рис.1 (стр.7) 2. Снимите крышку распределительной коробки (отверните 2 винта). Кабель питания (3-проводный, тип NYM-J 3x1,5) следует провести сквозь отверстие в корпусе. Возможно подключение кабеля через обычный сетевой выключатель. 3. Закрепите монтажный бугель на стене с помощью соответствующих дюбелей и шурупов. 4. Закрепите 3-проводный кабель в клеммы, как показано на рис.2 (Schutzleiter -заземляющий кабель, Sensor - датчик, gelb/grun - желтый/зеленый, braun - коричневый, rot - красный, blau - синий, schwarz - черный, weiS - белый). 5. Установите прибор на монтажный бугель. 6. Откройте стеклянную крышку светильника, установите галогеновую лампу в патрон, закройте крышку. Внимание! При установке лампы не касайтесь поверхности пальцами, т.к. это приводит к ее загрязнению и уменьшению срока службы.
Порядок работы
После завершения установки следует восстановить питание в сети; прибор включается непосредственно при подаче напряжения, по схеме на рис.3 (стр.10) Пояснения к рис.3: режимы: «Вкл.сети» -- «Авто-режим» --- «Тестовый режим»--- «Длительный режим» переходы: «Включение» (EIN), «Быстрое выключение-включение (AUS-EIN), «после 5 минут», «Быстрое выключение-включение-выключение-включение (AUS-EIN-AUS-EIN)
Тестовый режим
Служит для проверки работы излучателя в течение 5 минут.
Последовательность действий:
Включить питание (автоматический режим). Кратковременно выключить и включить питание, при этом активен тестовый режим: после первого срабатывания датчика лампа загорается примерно на 30 сек., затем гаснет. Последующие срабатывания зажигают лампу на 4 сек. Во время тестового режима можно установить и проверить область действия датчика. По истечение 5 минут прибор переходит в автоматический режим.
Автоматический режим
- Длительность включения можно установить регулятором TIME от 20 секунд до 10 минут - Чувствительность датчика устанавливается регулятором SENS - Чувствительность к свету (порог освещенности) устанавливается регулятором LUX
Длительный режим
Для включение лампы в длительный режим следует в течение 1 секунды дважды выключить и сразу включить питание. Установка области действия датчика Угол охвата датчика составляет 110°, дальность ок.12 м. Отметьте область, в которой предполагается использовать светильник с датчиком. Включите прибор в тестовый режим и пробным путем определите необходимую установку чувствительности датчика.
Обслуживание
Ремонт прибора должен производиться только специалистами! Периодически следует очищать корпус излучателя и датчик от пыли сухой мягкой тряпкой.
Другие новости по теме:
Инфракрасный переключательПрибор VitronПрибор VitronГалогеновый аккумуляторный фонарьТаймер-переключатель HT 456
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|