Влияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олова
Исследовано влияние примеси Pd (от 0,5 до 3 вес. %) на электрические свойства и газовую чувствительность пленок SnO2, полученных методом ионно-лучевого реактивного распыления оловянной мишени. Легирование палладием осуществлялось из водного раствора соли PdCl2. Установлено, что примесь Pd уменьшает температуру максимальной газовой чувствительности к этанолу пленок SnO2 до 200°С (1,5 вес. % Pd). Рассмотрены возможные механизмы влияния Pd на газовую чувствительность пленок SnO2.
Оксиды металлов находят все более широкое применение в технике и электронике в виде полученных различными методиками керамик, спеченных слоев и пленок. В частности, диоксид олова интенсивно применяется в виде чувствительных элементов сенсоров для определения различных газов в атмосферном воздухе. Полупроводниковые сенсоры на основе оксидов металлов (SnO2, In2O3, Ga2O3 и др.) являются перспективными материалами для газочувствительных слоев твердотельных датчиков газов. Их принцип действия основан на модуляции приповерхностной области пространственного заряда и изменений электросопротивления пленки при адсорбции молекул газов. Уменьшение размеров зерен в поликристаллической пленке повышает газовую чувствительность и эффективность работы датчика газа. Известно, что примеси благородных металлов в малых количествах также эффективно улучшают газочувствительные свойства пленок SnO2.
Целью настоящей работы является изучение влияния примесей палладия на газовую чувствительность пленок SnO2.
Другие новости по теме:
Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнит ...Гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...Объект исследований – полупроводниковый газовый сенсорМетоды получения тонких пленок в электронной технике.Технология получения и конструкция газовых сенсоров
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24
Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27
Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|
