Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнитным напылением
Сообщается о разработке трех конструкций газовых сенсоров на основе пленок SnO2, осажденных реактивным магнетронным напылением в специальной установке "колпак в колпаке" в атмосфере О2+Ar и контролируемо отожженных на воздухе. Контакты к сенсорам и нагреватель-терморезистор предварительно осаждались магнетронным распылением Pt на шероховатую поверхность кварца или слюды. Пленки SnO2 легировались Sb и In и на их поверхность наносилась Pt в качестве катализатора. Показано, что свойства сенсоров в значительной мере определяются как процессом напыления, так и процессом отжига пленок SnO2. Сенсоры обладали высокой чувствительностью к СО, СН4, Н2, спиртам. Рабочая температура сенсоров лежала в интервале 125–250 °С. Исследование временной зависимости реакции сенсоров на указанные газы при импульсном нагреве показало возможность резко увеличить избирательность сенсоров к большинству из указанных газов. Для сенсоров, легированных In, впервые обнаружено возникновение долговременных низкочастотных колебаний сигнала в результате гетерогенных реакций с газами. При этом Фурье-анализ показал отличительные особенности сигналов для каждого газа.
Первой и весьма важной задачей газовой сенсорики является создание пороговых датчиков, реагирующих на превышение допустимого содержания взрывоопасных и вредных для здоровья веществ. Следующей, более сложной задачей, является анализ состава атмосферы или газовых смесей. По сути, речь идет о создании искусственного электронного носа. Требования к идеальному газовому сенсору были сформулированы в свое время Земелем: малая цена, малые размеры, хорошее отношение сигнал/шум, простота и надежность конструкции, обратимость реакции на газы, селективность, нечувствительность к отравлению, быстродействие, совместимость с электроникой, температурная и временная стабильность. Этим требованиям наилучшим образом отвечают сенсоры на основе металлооксидных соединений, среди которых наибольшее внимание привлекает двуокись олова SnO2. Свойство диоксида олова изменять свою проводимость в присутствии в воздухе молекул газов восстановителей и окислителей и лежит в основе их работы. Природа химико-физических процессов, лежащих в основе этого свойства известна и приводится в ряде монографий. В то же время особенности процессов в случае конкретных технологий изготовления, конструкций и методики измерения нельзя считать выясненными.
Другие новости по теме:
Влияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олов ...Объект исследований – полупроводниковый газовый сенсорТехнология получения и конструкция газовых сенсоровГетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...Полупроводниковые химические сенсоры
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|