О компании Детали Новости Поставки аналитика
 
Наш адрес в Киеве:
196105, Украина, Киев
ст.метро "Лукьяновская" улица Герцена д 4 пом. 16Н
Телефон: (044) 213-3641
E-mail: sale@incomtech.com.ua
Наш адрес в Николаеве:
620078, г. Николаев
ул. Студенческая, д.51, ком. 327
Телефон: 374-65-00
E-mail: sklad@incomtech.com.ua
 

Объект исследований – полупроводниковый газовый сенсор

В работе изучены полупроводниковые газовые сенсоры, изготовленные по толстоплёночной технологии с использованием трафаретной печати. Конструкция сенсора представлена в работах. Отметим лишь основные технологические способы получения конкретных газочувствительных слоёв, которые использованы для анализа газовых смесей воздуха с метаном, водородом и окисью углерода. Следует отметить, что метрологические и эксплутационные характеристики сенсоров в значительной степени определяются как применяемыми химическими реактивами, так и технологией получения порошков для газочувствительных слоёв. Опыт показывает, что свойства наших отечественных реактивов, которые в основном применялись нами в работе, не всегда совпадают со свойствами зарубежных реактивов аналогичного класса и зависят также от номера партии, даты изготовления и изготовителя. По этой причине, используя те же реактивы, которые предлагаются в зарубежных публикациях, и соблюдая указанные в них этапы и режимы приготовления порошков, редко когда удаётся достичь приведённых параметров. Поэтому важно, несмотря на многочисленные публикации, иметь собственное представление о сенсорах, изготовленных в России с использованием доступных отечественных реактивов, и таких, которые могли бы быть тиражированы в любых количествах для применения в приборах газового контроля.

Основой всех газочувствительных слоев был диоксид олова SnO2. Порошки диоксида олова получались методом химического осаждения из водных растворов сульфата олова. После осаждения порошки SnO2 • nH2O отмывались дистиллированной водой от ионов SO4-2 методом декантации, далее высушивались при температуре 180°C и прокаливались при температуре 600°С в течение 2 ч. В последующем в зависимости от назначения порошки SnO2 модифицировались различными легирующими добавками, наилучшим образом зарекомендовавшими себя для регистрации анализируемых газов.
В сенсорах, предназначенных для регистрации метана и водорода, в порошок SnO2 добавлялся металлический Pd, который осаждался на поверхность SnO2 из раствора хлористого палладия с помощью муравьинокислого натрия. Далее после отмывки от ионов хлора порошок SnO2:Pd высушивался и смешивался с органической связкой на основе терпинеола и этилцеллюлозы для получения пасты. Полученная паста затем использовалась для нанесения газочувствительных слоёв методом трафаретной печати. В последующем отпечатки пасты подсушивались при 120°С в течение 10–15 мин и вжигались в конвейерной электропечи при температуре 750°С в течение 15 мин.

Для повышения селективности к метану на газочувствительный слой сенсоров наносился в качестве фильтра слой из каталитически активного g-оксида алюминия, на поверхность которого методом пропитки растворами с последующем термическим разложением были нанесены палладий (до 2.5 % вес.) и платина (до 2.5 % вес.). Способ нанесения и вжигания каталитического слоя аналогичен упомянутым выше действиям для газочувствительного слоя.
В сенсорах водорода использовались также газочувствительные слои на основе SnO2 с добавкой 3% вес. оксида лантана La2O3. Он добавлялся к порошку SnO2 путём его пропитки водным раствором La(NO3)3 с последующей сушкой и прокаливанием при 600° С в течение 1 ч.

В сенсорах окиси углерода дополнительно применялись газочувствительные слои на основе состава SnO2 + 3% La2O3 с добавкой 1% Sb2O5. В этом случае в раствор сульфата олова перед осаждением SnO2 • nH2O вначале вводился SbCl3, а оксид лантана уже добавлялся к полученному порошку описанным выше способом.

Все элементы сенсоров (контакты, нагреватели и газочувствительные слои) последовательно наносились на подложку из алюмооксидной керамики ВК-100 толщиной 0.2 мм методом трафаретной печати и затем вжигались в конвейерной электропечи в атмосфере воздуха. Для изготовления нагревателей использован композиционный материал на основе диоксида рутения и платины, обладающий достаточно высоким термическим коэффициентом сопротивления (ТКС) » 3 ґ 10-3 град-1. Контактные площадки изготовлены из пасты на основе платины. Разделение подложки на отдельные чипы проводилось с помощью лазерного скрайбирования. Электровыводы, в качестве которых использовалась золотая проволока Ж 30 мкм или платиновая проволока Ж 20 мкм, монтировались на контактных площадках чипов и вжигались к ним пастой. Вторые концы электровыводов припаивались оловянным припоем к выводам стеклянной панели.

В исследованиях использовались два варианта конструкции сенсоров. В открытом варианте чип распаивался на выводах стандартной 7-ми штырьковой радиопанели и не закрывался каким-либо чехлом. В зачехлённом варианте чип распаивался на выводах стеклянной панели Ж 10.8 мм, которая вставлялась и герметично уплотнялась в металлическом защитном кожухе (чехле), имеющем на противоположном торце газопроницаемую сетку.


Другие новости по теме:

  • Влияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олов ...
  • Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнит ...
  • Технология получения и конструкция газовых сенсоров
  • Гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...
  • Электролюминесцентные сенсоры на тяжёлые металлы в воде


  •  

    НОВОСТИ

     
    Диоды с накоплением заряда
    Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды ди­одов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К та­ким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта.
     
    Сырье и материалы используемые в производстве
    Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.

    Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18.
     
    Микросхемы памяти с последовательным доступом
    АТ24
    Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит.
     
    Микросхемы памяти с параллельным доступом
    АТ27
    Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит.
     
    АТ90S (AVR)
    Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В.
     
    АТ91 (ARM7TDMI)
    Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц
     
    ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
    Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power).
     
    ATF1500A
    Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала.
     
    АТ40К/LV
    Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений.
     
    АТ89
    Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51.
     
    ПРАЙС-ЛИСТЫ:
    Скачать прайс-лист Прайс на продукцию "Элемент-Инкомтех" 2009 г.в.
    Скачать прайс-лист Прайс-лист на силовые полупроводники и охладители
    Скачать прайс-лист Прайс на монтажный крепеж (стойки, колонки, буксы, лепестки)
    Скачать прайс-лист Наша постоянная потребность
    .. | Материалы | Новости | Реестр | О работе
    Designed by Acet.name © 2006
    ООО «Инкомтех» © 2000-2009