Объект исследований – полупроводниковый газовый сенсор
В работе изучены полупроводниковые газовые сенсоры, изготовленные по толстоплёночной технологии с использованием трафаретной печати. Конструкция сенсора представлена в работах. Отметим лишь основные технологические способы получения конкретных газочувствительных слоёв, которые использованы для анализа газовых смесей воздуха с метаном, водородом и окисью углерода. Следует отметить, что метрологические и эксплутационные характеристики сенсоров в значительной степени определяются как применяемыми химическими реактивами, так и технологией получения порошков для газочувствительных слоёв. Опыт показывает, что свойства наших отечественных реактивов, которые в основном применялись нами в работе, не всегда совпадают со свойствами зарубежных реактивов аналогичного класса и зависят также от номера партии, даты изготовления и изготовителя. По этой причине, используя те же реактивы, которые предлагаются в зарубежных публикациях, и соблюдая указанные в них этапы и режимы приготовления порошков, редко когда удаётся достичь приведённых параметров. Поэтому важно, несмотря на многочисленные публикации, иметь собственное представление о сенсорах, изготовленных в России с использованием доступных отечественных реактивов, и таких, которые могли бы быть тиражированы в любых количествах для применения в приборах газового контроля.
Основой всех газочувствительных слоев был диоксид олова SnO2. Порошки диоксида олова получались методом химического осаждения из водных растворов сульфата олова. После осаждения порошки SnO2 • nH2O отмывались дистиллированной водой от ионов SO4-2 методом декантации, далее высушивались при температуре 180°C и прокаливались при температуре 600°С в течение 2 ч. В последующем в зависимости от назначения порошки SnO2 модифицировались различными легирующими добавками, наилучшим образом зарекомендовавшими себя для регистрации анализируемых газов. В сенсорах, предназначенных для регистрации метана и водорода, в порошок SnO2 добавлялся металлический Pd, который осаждался на поверхность SnO2 из раствора хлористого палладия с помощью муравьинокислого натрия. Далее после отмывки от ионов хлора порошок SnO2:Pd высушивался и смешивался с органической связкой на основе терпинеола и этилцеллюлозы для получения пасты. Полученная паста затем использовалась для нанесения газочувствительных слоёв методом трафаретной печати. В последующем отпечатки пасты подсушивались при 120°С в течение 10–15 мин и вжигались в конвейерной электропечи при температуре 750°С в течение 15 мин.
Для повышения селективности к метану на газочувствительный слой сенсоров наносился в качестве фильтра слой из каталитически активного g-оксида алюминия, на поверхность которого методом пропитки растворами с последующем термическим разложением были нанесены палладий (до 2.5 % вес.) и платина (до 2.5 % вес.). Способ нанесения и вжигания каталитического слоя аналогичен упомянутым выше действиям для газочувствительного слоя. В сенсорах водорода использовались также газочувствительные слои на основе SnO2 с добавкой 3% вес. оксида лантана La2O3. Он добавлялся к порошку SnO2 путём его пропитки водным раствором La(NO3)3 с последующей сушкой и прокаливанием при 600° С в течение 1 ч.
В сенсорах окиси углерода дополнительно применялись газочувствительные слои на основе состава SnO2 + 3% La2O3 с добавкой 1% Sb2O5. В этом случае в раствор сульфата олова перед осаждением SnO2 • nH2O вначале вводился SbCl3, а оксид лантана уже добавлялся к полученному порошку описанным выше способом.
Все элементы сенсоров (контакты, нагреватели и газочувствительные слои) последовательно наносились на подложку из алюмооксидной керамики ВК-100 толщиной 0.2 мм методом трафаретной печати и затем вжигались в конвейерной электропечи в атмосфере воздуха. Для изготовления нагревателей использован композиционный материал на основе диоксида рутения и платины, обладающий достаточно высоким термическим коэффициентом сопротивления (ТКС) » 3 ґ 10-3 град-1. Контактные площадки изготовлены из пасты на основе платины. Разделение подложки на отдельные чипы проводилось с помощью лазерного скрайбирования. Электровыводы, в качестве которых использовалась золотая проволока Ж 30 мкм или платиновая проволока Ж 20 мкм, монтировались на контактных площадках чипов и вжигались к ним пастой. Вторые концы электровыводов припаивались оловянным припоем к выводам стеклянной панели.
В исследованиях использовались два варианта конструкции сенсоров. В открытом варианте чип распаивался на выводах стандартной 7-ми штырьковой радиопанели и не закрывался каким-либо чехлом. В зачехлённом варианте чип распаивался на выводах стеклянной панели Ж 10.8 мм, которая вставлялась и герметично уплотнялась в металлическом защитном кожухе (чехле), имеющем на противоположном торце газопроницаемую сетку.
Другие новости по теме:
Влияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олов ...Особенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнит ...Технология получения и конструкция газовых сенсоровГетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...Электролюминесцентные сенсоры на тяжёлые металлы в воде
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|