Методы получения тонких пленок в электронной технике.
1. Термовакуумне напиленя
2. (ТВН). В этом методе создается направленный поток пара вещества и затем конденсации его на поверхности подложки, имеющей температуру ниже температуры источника. Распыления ионной бомбардировкою. Этим методом получают пленки с заданными свойствами и есть возможность получения пленки тугоплавких материалов и сплавов, сложных веществ и материалов с низким давлением пара. Различают: катодной (физическое и реактивное), ионно - плазменные, ВЧ и магнитное распыления. 3. Термическое оксидирование производится методом нагрева до высоких температур.
4. Химическое осаждения из парогазовой фазы. Пары соединений (галогенов, гибридов, карбонита) поставляются в камеру установки, где расположены подложки, нагретые до необходимых температур.
5. Электролитическое и плазменные анодирования. Электролитическое анодирования - им получают пленки оксидов на металлах и н / п, процесс происходит в электролитическое ваннах на анодов. Плазменная анодирования - это процесс образования оксидных пленок на подложки. С помощью этого метода получают более толстые, и этот метод хорошо сумищаеться с другими методами получения структур.
6. Осаждения металлов из электролитов и растворов. В основе этого метода лежит явление электролиза, при котором происходит катодной восстановление катионов.
Другие новости по теме:
Влияние примеси палладия на газочуствительные свойства плёнок дикосида олов ...Гетероструктуры на основе нанокристаллических оксидов металлов для газовых ...Электролюминесцентные сенсоры на тяжёлые металлы в водеОбъект исследований – полупроводниковый газовый сенсорОсобенности технологии и свойства тонкопленочных сенсоров полученных магнит ...
|
|
НОВОСТИ
|
|
| Диоды с накоплением заряда
Лучшими импульсными характеристиками обладают некоторые специальные виды диодов, использующие разнообразные физические эффекты и свойства полупроводников для уменьшения времени переходных процессов, происходящих при переключении диода. К таким диодам в первую очередь относятся: диоды с накоплением заряда, диоды Шоттки, диоды Мотта. |
|
|
| Сырье и материалы используемые в производстве
Черный металл: лист стальной х/к, лента стальная х/к, катанка, проволока стальная.
Цветной прокат: лист латунный мягкий, п/тв, лента латунная, пруток латунный, проволока медная, аноды цинковые, олово 01, припой ПОС-40, ПОС-61, ПОСК 50-18. |
|
|
| Микросхемы памяти с последовательным доступом
АТ24 Ээлектрически стираемые микросхемы ПЗУ с двухпроводным интерфейсом I2C и 8-битной внутренней организацией. Количество циклов перезаписи — 1 миллион, время сохранения данных — не менее 100 лет. Емкость — от 1 Кбит до 1024 Кбит. |
|
|
| Микросхемы памяти с параллельным доступом
АТ27 Однократно программируемые микросхемы ПЗУ со стандартной цоколевкой. Емкость — от 256 Кбит до 8 Мбит. |
|
|
| АТ90S (AVR)
Быстродействующие 8-ми разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ памятью программ на кристалле, имеют диапазон напряжения питания от 2.7 до 6.0 В и небольшой потребляемый ток — типичное значение 3.5 мА на частоте 4 МГц в активном режиме при напряжении питания 3 В. |
|
|
| АТ91 (ARM7TDMI)
Высокопроизводительные 32-разрядные микропроцессоры, имеющие наилучшее в промышленности отношение производительность/потребляемая мощность. Диапазон рабочих частот от 25 до 70 МГц при напряжении питания 2.7—3.6 В, есть модификация, работающая на частоте 12 МГц |
|
|
| ATF16V8 ATF20V8 ATF22V10
Модифицированное семейство популярных микросхем 16V8, 20V8, и 22V10, потребляющее в четыре раза меньшую мощность, имеющие «спящий» режим (standby power) и режим нулевой мощности (zero power). |
|
|
| ATF1500A
Базируется на улучшенной ФЛЭШ технологии, имеет максимальную задержку от 7.5 нс и выполняет регистровые операции на частотах до 125 МГц, есть возможность управления скоростью нарастания выходного сигнала. |
|
|
| АТ40К/LV
Совместимо по цоколевке с микросхемами семейств XC4000 и XC5200 фирмы XILINX, имеет емкость от 5000 до 40 000 вентилей, выпускается в корпусах PLCC, PGA,TQFP, uBGA. Каждый макроэлемент микросхем этого семейства прямое соединение с восемью окружающими макроэлементами, что повышает «разводимость» вследствие увеличенного количества межсоединений. |
|
|
| АТ89
Быстродействующие 8-разрядные микроконтроллеры с ФЛЭШ-памятью программ на кристалле, многократно перепрограммируемые, прямая замена микросхем Intel 8x51. |
|
| |
|
|