Диоды Шоттки — это полупроводниковые приборы, построенные на основе структу­ры металл-полупроводник. Такой электрический переход обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового - «-перехода). К ним относятся: пониженное паде­ние напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратно­го восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным р-и-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с иняекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.

Импульсные (высокочастотные) свойства диодов Шоттки определяются их граничной рабочей частотой:_/р = 1/(2тггсСб), где гс — сопротивление перехода, Сь — барьерная емкость. В диодах Шоттки предельная частота значительно выше, чем у диодов на^-л-переходах. Это достигается как за счет технологии изготовления диодов, так и выбором оптимальной юнструкции.

Диоды Шоттки изготавливаются обычно на основе кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs), реже — на основе германия (Ge). Выбор металла для контакта с полупроводником определяет многие параметры диода. В первую очередь важна величина контактной разности потенциалов, образующейся на границе металл-полупроводник. При использовании диода Шоттки в качестве детектора она определяет его чувствительность, а при использовании в смесителях — необходимую мощность гетеродина. Поэтому чаще всего используются метал­лы Ag. Au, Pt, Pd, W, которые наносятся на полупроводник и дают величину потенциального барьера 0,2...0,9 эВ.

Диоды Шоттки используются для выпрямления малых напряжений высокой частоты, в высокочастотных смесителях, в быстродействующих импульсных цепях, часто переходы Шоттки используются в других полупроводниювых приборах (транзисторах) для улучшения их импульсных характеристик (например, включение диода Шоттки между базой и коллекто­ром транзистора, работающего в ключевом режиме, позволяет предотвратить накопление из­быточных носителей заряда в базовой области транзистора, тем самым сократив время сраба­тывания ключа). Прямая ветвь ВАХ у диодов Шоттки подчиняется экспоненциальному закону в широком диапазоне токов, что по­зволяет их использовать как прецизионные логарифмирующие элементы.